Flash-geheugen is een vorm van semi-pass-technologie en elektrisch herprogrammeerbaar geheugen. Hetzelfde concept kan worden gebruikt in elektronische schakelingen om technologisch complete oplossingen aan te duiden. In het dagelijks leven is dit concept vastgelegd voor een brede klasse van solid-state apparaten voor het opslaan van informatie.
Noodzakelijk
USB-stick, computer met internetverbinding
instructies:
Stap 1
Het werkingsprincipe van deze technologie is gebaseerd op veranderingen en registraties in geïsoleerde gebieden van elektrische lading in een halfgeleiderstructuur. De verandering van een dergelijke lading, dat wil zeggen het opnemen en wissen ervan, vindt plaats met behulp van een applicatie die zich tussen de bron en de poort van zijn grotere potentieel bevindt. Er wordt dus een voldoende elektrische veldsterkte gecreëerd tussen de transistor en de pocket in een dun diëlektrisch veld. Zo ontstaat het tunneleffect.
Stap 2
Geheugenbronnen zijn gebaseerd op ladingswijziging. Het wordt soms geassocieerd met het cumulatieve effect van onomkeerbare verschijnselen in zijn structuur. Daarom is het aantal vermeldingen voor de flitscel beperkt. Dit cijfer voor MLC is meestal 10 duizend eenheden, en voor SLC - tot 100 duizend eenheden.
Stap 3
De bewaartijd van gegevens wordt bepaald door hoe lang de kosten worden opgeslagen, wat meestal wordt aangegeven door de meeste fabrikanten van huishoudelijke producten. Het duurt niet langer dan tien tot twintig jaar. Al geven de fabrikanten alleen de eerste vijf jaar garantie. Er moet echter worden opgemerkt dat MLC-apparaten kortere bewaartermijnen voor gegevens hebben dan SLC-apparaten.
Stap 4
De hiërarchische structuur van flash-geheugen wordt verklaard door het volgende feit. Processen zoals schrijven en wissen, evenals het lezen van informatie van een flashstation, vinden plaats in grote blokken van verschillende groottes. Een wisblok is bijvoorbeeld groter dan een schrijfblok, dat op zijn beurt kleiner is dan een leesblok. Dit is een onderscheidend kenmerk van flash-geheugen van de klassieke. Als gevolg hiervan hebben alle microschakelingen een uitgesproken hiërarchische structuur. Het geheugen is dus verdeeld in blokken, en die in sectoren en pagina's.
Stap 5
De snelheid van wissen, lezen en schrijven is anders. De wissnelheid kan bijvoorbeeld variëren van één tot honderden milliseconden. Het hangt af van de grootte van de informatie die wordt gewist. De opnamesnelheid is tientallen of honderden microseconden. De leessnelheid is meestal tientallen nanoseconden.
Stap 6
Kenmerken van het gebruik van flash-geheugen worden bepaald door de kenmerken ervan. Het is toegestaan microschakelingen te produceren en te verkopen met een willekeurig aantal defecte geheugencellen. Om dit percentage lager te maken, wordt elke pagina voorzien van kleine extra blokjes.
Stap 7
Het zwakke punt van flashgeheugen is dat het aantal herschrijfcycli op één pagina beperkt is. De situatie wordt nog erger omdat bestandssystemen vaak naar dezelfde geheugenlocatie schrijven.
